短溝道效應解析
在 MOS 晶體管領域，當溝道長度縮至與漏結及源結耗盡層厚度相近時，一系列有別于長溝道 MOS 管特性的現(xiàn)象便會顯現(xiàn)，這些現(xiàn)象被統(tǒng)稱為短溝道效應，其根源在于溝道區(qū)二維電勢分布的形成以及高電場的出現(xiàn)。
當 MOSFET 的溝道長度低于 3 微米時，短溝道效應便較為突出。此類效應的產(chǎn)生主要受以下五種因素影響，這些因素皆源于理想按比例縮小理論的偏離：
一是電源電壓未能按比例縮小，致使電場強度增大。
二是內(nèi)建電勢既無法按比例縮小，又不可忽視。
三是源漏結深難以按比例減小。
四是襯底摻雜濃度的上升造成載流子遷移率降低。
五是亞閾值斜率無法按比例縮小。
以下借助 MOSFET 3D 能帶圖，深入剖析短溝道效應。以 NMOS 為例，當施加 Vgs 電壓時，在 Gate 表面，能帶向下彎曲（如圖第三個圖例所示），這使得電子更易穿越溝道。然而，由于此時 Drain 尚未加壓，能帶位置保持不變，因此并無電流流過。
一旦給 Drain 加壓（對應圖中第四個圖例），Drain 處能帶向下彎曲，從 Source 經(jīng) Channel 至 Drain 形成能級差，電子得以沿此路徑流動。
從能帶圖視角審視短溝道效應，可得出以下結論：
對于短溝道（L 極小）的 MOS 管，Source 與 Drain 距離過近，Channel 能帶被向下拉，使得處于 Cut-Off 狀態(tài)的器件 leakage 增大。這是因為溝道勢壘降低，熱激發(fā)電子在常溫下更易越過勢壘，從 Source 漂移到 Drain，這一效應顯著影響亞閾值漏電流。
若提升 Vds 值，由于 Source 與 Drain 距離過近，Drain 勢壘下降會引發(fā) Channel 勢壘降低，導致溝道電流 Id 對 Vds 的敏感性增強，這便是所謂的漏誘生勢壘降低效應（DIBL）。
因此，若要借助減小溝道 L 值來提升開啟電流，需警惕短溝道效應致使 MOS 管關斷電流呈指數(shù)級增長的風險。
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